Micron e Intel trabajarán en desarrollar la 3ra generación de la memoria Nand
Ambas compañías informaron sobre una actualización de su lianza de desarrollo de la memoria Nand, lo que incluye un mutuo acuerdo para trabajar de forma independiente en las generaciones futuras de 3D Nand.
En un comunicado se precisó que las empresas pactaron completar el desarrollo de su tercera generación de tecnología 3D Nand, que se entregará a finales de este año y se extenderá hasta principios de 2019, y que desarrollarán dicha tecnología de forma independiente para optimizarla, y en consecuencia los productos para sus necesidades comerciales individuales.
Del mismo modo se informó que las dos compañías están actualmente aumentando sus productos basados en su segunda generación de tecnología 3D Nand (64 capas) y que continuarán desarrollando y fabricando conjuntamente 3D XPoint en la empresa conjunta Intel-Micron Flash Technologies (IMFT) en Lehi, Utah.
“La asociación ha sido una colaboración histórica y esperamos trabajar en otros proyectos a medida que cada uno forje su propio camino en el futuro desarrollo de Nand», comentó Scott DeBoer, vicepresidente ejecutivo de Desarrollo de Tecnología en Micron. “Nuestro mapa para el desarrollo de la tecnología 3D Nand es sólida, y tenemos la intención de traer productos competitivos al mercado”.
Por su parte, Rob Crooke, vicepresidente senior y gerente general del Grupo de soluciones de memoria no volátil en Intel Corporation, manifestó que la asociación ha beneficiado a ambas compañías y llegado a un punto de desarrollo Nand, adecuado para que las empresas persigan los mercados en los que están enfocados.
