Intel impulsa la 3D en transistores
Pese a que había sido anunciado en 2002, será a finales de este año cuando la compañía comenzarán a fabricar en grandes cantidades los transistores de silicio mediante un diseño en tres dimensiones (3-D), llamado Tri-Gate, en el nodo de 22 nanómetros (nm) con nombre código Ivy Bridge.
Su creadora aseguró que los transistores tridimensionales representan un cambio fundamental con relación a la estructura plana de los transistores de dos dimensiones, ya que ayudará a reducir el consumo de energía y los costos por transistor, al tiempo que mantienen el aumento del desempeño.
“Esto permitirá la creación de productos sorprendentes, que irán desde dispositivos de mano móviles muy pequeños a computadoras más rápidas», apuntó Paul Otellini, CEO de la firma.
Explicó que los transistores 3-D Tri-Gate permiten a los chips operar a un menor voltaje de salida con una menor pérdida de energía. Esto les da a los diseñadores de chips la flexibilidad de configurar los transistores para el bajo consumo energético o el alto desempeño, dependiendo de la aplicación.
En comparación con los anteriores transistores planos de 32 nm, la empresa argumentó que los nuevos de 22nm ofrecen hasta un 37% de aumento del desempeño con un bajo consumo energético.
