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Producción masiva de memoria Flash NAND de 43 Nanómetros

La compañía anunció la introducción de la memoria flash Multi-Level (MLC) NAND, que utiliza la tecnología de procesos de 43 nanómetros (nm), reduciendo así el costo de los dados además de conservar el desempeño y la confiabilidad.

SanDisk distribuirá estos productos en el segundo trimestre de 2008 usando la densidad de memoria flash MLC NAND de un solo chip más alta de la industria. La distribución comenzará con 16GB y seguirá con la de 32GB, en la segunda mitad de 2008.

 

Al respecto, Randhir Thakur, vicepresidente ejecutivo Tecnología y Operaciones mundiales de SanDisk, aseguró “estamos entusiasmados por comenzar esta producción, que logrará reducir los costos significativamente. Las características de la tecnología incluyen la arquitectura All Bit Line (ABL) de SanDisk, con algoritmos eficientes de programación y tamaño de páginas de 8 kilobytes (KB), lo que ofrece capacidades de alto desempeño. La litografía avanzada, otras innovaciones en la tecnología de procesos y la primera arquitectura de 64 NAND de la industria ofrecen un menor costo por megabyte y un excelente desempeño. La generación de la tecnología de 43nm será nuestro principal enfoque durante 2008, así como el de continuar ofreciendo tecnología de punta y menores costos a nuestros clientes”.

 

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