FeRAM de Toshiba

La firma anunció una FeRAM –Memoria de Acceso Aleatorio Ferroeléctrica– recientemente desarrollada, que redefine los parámetros de la industria en densidad y velocidad de operación.

El nuevo chip lleva el almacenamiento FeRAM al nivel de los 64 megabits y aumenta la velocidad de lectura y escritura a 200 megabytes por segundo.
Fabricada con tecnología de procesos CMOS de 130 nanómetros, la FeRAM de 64 megabits está basada en la arquitectura chainFeRAMTM de Toshiba, que reduce el tamaño de la celda de memoria. También integra un circuito optimizado para reducir el área de circuitos y el ruido durante la operación de lectura, y ECC, un circuito de detección y corrección de errores de alta velocidad que asegura la confiabilidad de los datos con una operación de alta velocidad, incluso en condiciones de operación severas.
La clave para el incremento en desempeño es la adopción del modo de ráfaga para transferencias de datos de alta velocidad. Su integración eleva la velocidad de lectura y escritura a 200 megabytes por segundo.
La FeRAM combina las características de operación rápida de DRAM y SRAM con la capacidad de la memoria flash de retener los datos mientras está apagada, características que continúan captando la atención de la industria de semiconductores. Toshiba continuará su investigación y desarrollo en FeRAM, con el objetivo de utilizarla eventualmente en una amplia gama de aplicaciones, incluyendo equipo digital móvil y computadoras de alto desempeño.
Principales especificaciones:
Proceso: MOS de 130 nanómetros
Densidad: 64 megabits
Tamaño de la celda: 0.7191 um2
Tiempo del ciclo: 60 nanosegundos
Velocidad de Escritura/lectura
(ancho de banda): 200 megabytes/segundo
Voltaje de Suministro de Energía: 3.3V, 2.5V