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Intel y Numonyx marcan tendencia en desarrollo
Ambas firmas anunciaron avances en la investigación de la memoria de cambio de fase (PCM, por sus siglas en inglés), con una nueva tecnología de memoria no volátil que combina muchos de los beneficios de los diferentes tipos de memoria que se manejan en el mercado actualmente.
Los investigadores han elaborado una tecnología que permite la capacidad de apilar, o colocar múltiples capas de matrices PCMb en una sola oblea. Este desarrollo abre camino para la creación de dispositivos de memoria de alta velocidad con una mayor capacidad, así como menor consumo de energía y un ahorro de espacio óptimo para la memoria de acceso aleatorio y las aplicaciones de almacenamiento.
Dichos logros son el resultado de un programa continuo de investigación conjunta entre Numonyx e Intel, que se centró en la explotación de matrices de células en múltiples capas, o apiladas. De este modo ahora es posible producir una célula de memoria integrada verticalmente, llamada PCM. Las PCMS se componen de un elemento PCM dispuesto en capas, con un Ovonic Threshold Switch (OTS), usado en una verdadera matriz cross point.
Al Fazio, socio Intel y Director de desarrollo de tecnología en memoria acotó: "Seguimos desarrollando la tecnología de pipeline para las memorias, a fin de hacer avanzar las plataformas de computación, nos sentimos alentados por este hito en la investigación y vemos las tecnologías de memoria del futuro, tales como la(s) PCM(s), que son críticas para la ampliación del papel de las memorias en soluciones informáticas”.
Las células de memoria se construyen por apilamiento de un elemento de almacenamiento y un selector. Varias células crean matrices de memoria. Matrices previas con PCM como el elemento de almacenamiento ya habían sido divulgadas; pero usando selectores diferentes. Esto ha creado una grave limitación para el tamaño y la eficiencia de la matriz. Sin embargo, los investigadores fueron capaces de desplegar una película delgada, de dos terminales de OTS, como selector, combinando las propiedades físicas y eléctricas para la ampliación de la PCM.
Una vez integradas y embebidas en una verdadera matriz cross point, las matrices en capas se combinan con circuitos CMOS para la decodificación, la detección y las funciones lógicas. Entre las principales funcionalidades de la tecnología se destacan una velocidad de restablecimiento de nueve nanosegundos, la resistencia de 1 millón de ciclos, así como un rango dinámico de 1 voltio, entre el establecimiento y el restablecimiento del modo.
